製造現場において、フォトレジストの焼成やエピタキシャル成長の過程で生じる温度変動は、単に生産効率を低下させるだけではありません。それによって歩留まりも悪化します。工程手順に従って、正確な場所に熱を供給することが不可欠です。
技術的に重要な点
当社のエピタキシャル成長用赤外線ランプは、高速かつ方向性の高いエネルギーを出力し、制御も非常に精密です。短波長の赤外線は薄膜やウェーハ表面に効率的に伝わるため、反応時間は数秒以内で、冷却も迅速です。照射領域全体でのウェーハの温度均一性は±0.1℃以内を維持し、数千回のサイクルを繰り返しても再現性は数度以内に抑えられます。
ランプ本体はクラス1～100のクリーンルーム環境に適しており、ガス放出が少ない材料を使用し、粒子が飛び散らないように設計されています。出力は5,000時間以上安定しており、5％未満の減少しか見られないため、温度管理が困難になることはありません。
なぜこれが有効なのか
ウェーハの乾燥、フォトレジストのソフトベイクやハードベイク、パッケージング時の充填剤の硬化、洗浄後の乾燥など、さまざまな工程で同様のニーズがあります。つまり、予測可能で迅速かつ清潔な熱供給が求められます。これらのランプは、所定の温度に素早く到達し、過剰に温度が上昇することなく一定の温度を維持し、その後は丁寧に温度を下げます。これにより、パターンや薄膜への熱ストレスが軽減されます。
その結果、リソグラフィ工程での歩留まりが向上し、不完全な硬化による不良品が減少し、仕様を逸脱することなくサイクルタイムも短縮されます。また、必要な時にのみエネルギーを供給するため、エネルギー消費も削減されます。
知っておくべきこと
これらのランプはコンパクトで高出力なため、装置内での熱管理が極めて重要です。ランプの外装やベースを装置の形状に合わせ、目標領域への光の照射が正確に行われているかを確認し、電源や冷却装置が適切に機能しているかも確認する必要があります。
設置後は、しばらくの間は安定するまで時間がかかります。一度安定すれば、工程がスムーズに進行します。