На производственных линиях качество изделий часто зависит от температуры. Даже небольшое изменение температуры во время обработки фоторезиста может привести к ошибкам в ширине линий, которые сохраняются даже после процедур эчинга и нанесения слоев. В технологии CSP на уровне wafer та же самая температурная стабильность необходима для правильной обработки материалов и процесса плавления сварочного метала. Необходимо, чтобы тепло поступало периодически, цикл за циклом, без изменения температуры в определенной зоне.
Вот что имеет техническое значение: Мы разработали нагреватель для технологии CSP с высокой точностью контроля температуры: стабильность температуры на уровне ±0,1°C и однородность температуры по всей поверхности wafer. Для этого используются инфракрасные элементы и зоны нагрева, изолированные кварцем. Система подходит для использования в чистых комнатах класса 1–100; используются материалы с низким уровнем выделения газов, а камера остается герметичной, что позволяет сохранять стабильный уровень частиц в воздухе. Отсутствие частиц — это не просто слоган, а цель дизайна. Каждая зона контролируется с помощью системы замкнутого цикла, что позволяет точно контролировать процессы нагрева и высыхания.
Почему это работает на практике: Этот нагреватель можно использовать для сушки wafer, обработки фоторезиста, затвердевания защитных слоев и сушки после очистки. В литографии он позволяет выполнять процессы нагрева с высокой точностью, что обеспечивает соответствие параметров CD и угла боковых стенок требуемым значениям. В процессе упаковки он помогает затвердеванию защитных слоев и подготавливает сварочный металл к процессу плавления, без риска повреждения слоев с низкой проницаемостью. Это позволяет сократить количество повторных операций, стабилизировать количество дефектов и обеспечить предсказуемость времени выполнения процессов. Нагреватель эффективен благодаря небольшому размеру и быстрой реакции, а его работоспособность обеспечивается за счет модульных элементов, которые можно заменять в процессе эксплуатации.
Некоторые моменты, которые нужно учитывать: Нагреватель компактен и может быть интегрирован в стандартные устройства для нанесения материалов. Однако точность его расположения относительно поверхности wafer должна быть высокой. Необходимо учитывать точность до уровня субмиллиметра. Также важно проверять температурный режим на краях wafer — именно там показатели могут быть наименее стабильными. Использование азота в качестве газа для очистки поверхности wafer способствует повышению точности процессов и увеличивает срок службы элементов нагревателя.