
Üretim alanında verimlilik genellikle sıcaklıkla doğru orantılıdır. Fotoresistin pişirilmesi sırasında meydana gelen yarım derecelik bir değişiklik bile, aşındırma ve kaplama işlemlerinden sonra da devam eden hatalara neden olabilir. Wafer seviyesindeki CSP sistemlerinde de aynı termal kontrol mekanizmaları, dolgu maddelerinin kurutulması ve lehimlerin eritilmesini sağlar. İhtiyaç duyulan şey, termal merkezin değişmeden, tekrar tekrar uygulanabilen bir ısıtmadır.
Teknik açıdan önemli olan hususlar şunlardır: Wafer seviyesindeki CSP ısıtıcıları, ±0,1°C’lik hassasiyetle ve wafer üzerinde eşit şekilde ısı sağlayacak şekilde tasarlanmıştır. Bu amaç için kısa dalga boylu kızılötesi elemanlar ve kuvars ile izole edilmiş ısıtma bölgeleri kullanılır. Sistem, Class 1–100 temiz odalarda kullanılabilir; düşük gaz salınımı yapan malzemeler kullanılır ve oda kapalı tutularak parçacık sayısının sabit kalması sağlanır. Sıfır parçacık üretimi sadece bir slogan değil, tasarımın hedefidir. Her bölge kapalı döngü kontrolüyle yönetilir; böylece yumuşak pişirme, sert pişirme ve kurutma işlemleri belirlenen prosedürlere göre gerçekleşir.
Pratikte nasıl işe yaradığına gelince: Waferlerin kurutulması, fotoresistin pişirilmesi, kaplamaların kurutulması ve temizlik sonrası kurutma işlemlerinde kullanılır. Litografide, CD ve yan duvar açılarını belirlenen standartlar içinde tutan tekrarlanabilir bir şekilde yumuşak ve sert pişirme işlemleri gerçekleştirilir. Paketleme sürecinde ise kaplamaların kurutulması ve lehimlerin hazırlanması işlemleri, düşük-k dielektrik katsayılı malzemelerin zarar görmesini engelleyecek şekilde yapılır. Bunun sonucunda daha az yeniden işlem gerektiren ürünler elde edilir, hata oranları düşer ve işlem süreleri öngörülebilir hale gelir. Kütle küçük olduğu ve tepki hızı yüksek olduğu için bu sistem verimlidir. Ayrıca modüler bölgeler ve sahada değiştirilebilen elemanlar sayesinde çalışma süresi artırılır.
Dikkat edilmesi gereken birkaç nokta: Isıtıcı kompakt yapıdadır ve standart sistemlere entegre edilebilir; ancak wafer düzlemiyle olan hizalanması oldukça hassastır. Milimetre altı seviyesinde bir mekanik hizalanma gereklidir. Ayrıca waferin kenarlarında termal kontrolün sağlanması önemlidir; çünkü burada toleranslar en düşüktür. Azot gazı kullanarak işlem yapmak, nem hassas olan işlemlerde tekrarlanabilirliği artırır ve elemanların ömrünü uzatır.