Epitaxie Heizung mit Infrarotlampe

Sat, 27 Jun 2026 01:13:47 +0800

In der Fertigungshalle führt eine thermische Drift während des Trocknens des Photoresists oder während des Epitaxieprozesses nicht nur zu Beeinträchtigungen der Produktivität – sie verringert auch die Ausbeute. Es ist notwendig, dass die Wärme genau dort abgegeben wird, wo es der Prozessplan vorsieht – Zyklus für Zyklus.

Was technisch wichtig ist:
Unsere Infrarotlampen zur Erhitzung im Epitaxieprozess liefern schnelle, gezielte Energie mit präziser Steuerung. Kurzwelliges Infrarot dringt effektiv in dünne Schichten sowie auf die Oberfläche des Wafers ein – dadurch wird eine Reaktionszeit von unter einer Sekunde erreicht, und die Abkühlzeit ist kurz. In der beleuchteten Zone bleibt die Temperatur des Wafers innerhalb von ±0,1 °C konstant, und die Wiederholgenauigkeit bleibt über Tausende von Zyklen hinweg bei wenigen Grad.

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Epitaxie Heizung mit Infrarotlampe