Op de lithografievloer weet u hoe het gaat. Een temperatuurschommeling van minder dan 1°C tijdens de soft bake kan ongemerkt een lijnbreedtefout veroorzaken die pas bij de metrologie zichtbaar wordt. Diezelfde thermische drift kan het drogen van wafers veranderen in een probleem met deeltjes en defecten. We hebben de Lab-on-a-Chip Drying Heater ontwikkeld om die drift bij de bron te stoppen.
Wat technisch van belang is
Het platform maakt gebruik van kortgolvige infraroodstraling, aangestuurd door een kwarts-halogeenzender-array. Gesloten-lus pyrometrie houdt de thermische uniformiteit op wafer-niveau binnen ±0,1°C over de actieve zone. De temperatuurherhaalbaarheid van batch tot batch ligt op ±0,2°C, zodat het bakprofiel van uw photoresist stabiel blijft.
Het apparaat is geschikt voor cleanrooms klasse 1–100: 316L roestvrijstalen kamervlakken, FM4910-gecertificeerde materialen en een laminaire luchtstroomplenum die de deeltjesproductie tijdens de cyclus op nul houdt. De heater integreert SECS/GEM en werkt 24/7, met een MTBF van meer dan 10.000 uur, ondersteund door een emitterlevensduur van meer dan 5.000 uur.
Waarom het werkt waar het telt
Deze unit is specifiek ontworpen voor de lab-on-a-chip droogstap – direct na spin rinse en voor hard bake. Het droogt zonder beschadigingen, laat geen residu achter en behoudt het photoresistprofiel dat u tijdens de soft bake hebt ingesteld.
Dit resulteert in minder herbewerkingen, stabiele kritische afmetingen en een voorspelbare opbrengst. Het energieverbruik is laag genoeg om op de nutsvoorziening zichtbaar te zijn en het vloeroppervlak is compact genoeg om naast coaters en tracktools te plaatsen.
Hier moet u rekening mee houden
U heeft een aparte 208–240 V, 16 A aansluiting nodig. De thermische massa is laag, maar de opwarming veroorzaakt een hoge piekbelasting. De kamer is geschikt voor standaard 150 mm en 200 mm carriers; 300 mm vereist een carrier-adapterkit.
De installatie in een cleanroom duurt doorgaans twee dagen, inclusief verificatie van de retourluchtkanalen. Eén compromis: als u de setpoint-ramp-snelheden boven 10°C/s instelt, voeg dan een korte stabilisatiepauze toe om de uniformiteit binnen specificatie te houden.