생산 현장에서는 수율이 종종 온도에 의해 결정됩니다. 포토레지스트를 굽는 과정에서 0.5도만의 온도 변동이 있어도, 그로 인해 발생하는 선의 너비 오차가 에칭 및 증착 과정을 거쳐도 남아 있습니다. 웨이퍼 수준의 CSP 공정에서도 동일한 열 관리 기술이 사용됩니다. 즉, 반복적인 가열 과정에서도 열 중심점이 변하지 않도록 해야 합니다.
기술적으로 중요한 점은 다음과 같습니다. 우리는 웨이퍼 수준의 CSP 히터를 설계할 때 매우 정밀한 열 제어를 고려했습니다. ±0.1°C의 안정적인 설정값과 웨이퍼 전체에 걸친 균일한 온도 분포를 실현하기 위해 단파 적외선 소자와 석영으로 된 절연된 가열 구역을 사용했습니다. 이 시스템은 클래스 1–100급 청정실에서도 사용될 수 있으며, 유해 가스가 적은 재료를 사용하여 챔버 내부를 밀폐함으로써 입자 수를 일정하게 유지합니다. 입자가 전혀 발생하지 않는 것이 목표입니다. 각 가열 구역은 롤러블로 제어되므로, 소프트 베이크, 하드 베이크, 경화 과정이 정해진 방식대로 진행됩니다.
실제로 이 시스템이 효과적인 이유는 다음과 같습니다. 웨이퍼 건조, 포토레지스트 굽기, 캡슐화 처리, 세척 후 건조 등에 사용됩니다. 리소그래피 공정에서는 CD와 측벽 각도를 규격 내로 유지할 수 있도록 반복적인 소프트 베이크와 하드 베이크가 가능합니다. 패키징 공정에서는 캡슐화 처리를 완료하고, 낮은 k값을 가진 물질들이 분리되는 것을 방지하기 위해 납땜을 준비합니다. 그 결과, 재작업이 줄어들고, 결함률도 안정적이며, 공정 속도도 예측 가능해집니다. 질량이 작고 반응 속도가 빠르기 때문에 효율적입니다. 또한 모듈식 구조와 현장 교체가 가능한 부품들 덕분에 가동 시간도 보장됩니다.
주의해야 할 점은 다음과 같습니다. 히터는 컴팩트한 크기로 설계되어 있어 표준적인 장비에도 쉽게 통합될 수 있습니다. 하지만 웨이퍼 평면과의 정확한 정렬이 필요합니다. 서브밀리미터 수준의 정밀도가 요구되며, 웨이퍼 가장자리에서의 열 분포도 반드시 확인해야 합니다. 질소를 이용한 purging를 하면 습기에 민감한 공정에서의 반복성이 향상되고, 부품의 수명도 연장됩니다.